| 設備名稱 | 1200℃雙溫區(qū)連續(xù)生長卷對卷PECVD系統(φ80mm x 1400 mm,溫區(qū)長440mm)—OTF-1200X-II-PE-RR （2019.12.25—科晶實驗室審核） |
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| 產品提示 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 產品特點 | ? 射頻電源可實現等離子增強從而顯著降低實驗溫度； ? 質子流量計控制系統可以對氣體的輸送進行精確的調控； ? 收放卷機構別放置于管式爐兩端真空腔體內，可保證銅箔在密閉的生長條件下進行運動，可有效的實現大規(guī)模制備。 |
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| 加熱爐參數 | ? 最高溫度：1100oC（<30min）；連續(xù)工作溫度：< 1000℃； ? 工作電源：AC 220V，50/60Hz，功率：3KW； ? 兩個PID溫度控制器以及50段可編程溫控系統，控溫精度：±1℃； ? 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，并且內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層，可以提高加熱效率，反射率及延長儀器的使用壽命。
更多參數請聯系科晶銷售部 |
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| 卷對卷銅箔收放密封裝置 | ? 采用卷對卷收放卷機構進行銅箔的移動及進出料，銅箔的移動速度為1-400mm/min可調； ? 配置一卷約5 kg的銅箔，銅箔寬度：65mm，銅箔厚度0.025mm； ? 收卷機構與管式爐之間設置冷卻裝置用于銅箔的快速冷卻； ? 可根據要求提供特定的卷繞速度控制器及密封法蘭。
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| 石英氣體噴嘴 | ? 石英氣體噴嘴可將反應氣體與緩沖清洗氣體分開通入，有效地減少副反應發(fā)生，實現高端CVD工藝，如局部控制前體濃度化學氣相沉積工藝或單晶二維材料薄膜的生長工藝等。
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| 射頻電源 | ? 科晶公司現有不同功率的射頻電源可供選擇，以滿足不同實驗條件的需求。
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| 真空系統 | ? 采用TRP-12的雙旋真空泵； ? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵； ? 真空度可達10-2Torr。
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| 供氣系統 | ? 四通道質子流量計控制系統可實現氣體流量的精確控制（精確度：±0.02%）； ? 流量范圍:
? 電壓：208-240V， AC， 50/60Hz； ? 氣體進出口配件：6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管； ? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出； ? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設置。
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| 產品尺寸和重量 | ? 整體尺寸：2400 mm L ′600mmW′1250mm H； ? 凈重：260kg； ? 運輸重量：500 kg。
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| 認證 | ? 如您另外付費，我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證
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| 承諾 | ? 一年質保期，終身維護（不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件） |
科晶應用技術實驗室利用PECVD在不同功率（75W、150W、300W）條件下沉積Sb2Se3薄膜，實驗結果如下：
組別 | SEM結果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未經任何處理的樣品 |
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| 40.01 | 59.99 |
75W等離子體處理5 min |
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| 41.04 | 58.96 |
150 W等離子體處理5 min |
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| 41.64 | 58.36 |
300 W等離子體處理5 min |
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| 41.86 | 58.14 |
小結:
（1）等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌，同時改變Sb2Se3的組成；
（2）隨著射頻電源功率的增加，Sb2Se3中的Se百分含量降低。
組別 | SEM結果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3 |
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| 40.01 | 59.99 |
75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3 |
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| 70.28 | 29.72 |
75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3 |
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| 43.13 | 56.87 |
75W、3Pa且補充0.02g SnSe2粉末（10%質量比Sb2Se3）沉積Sb2Se3 |
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| Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小結:
（1）低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3；
（2）高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜；
（3）添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比；
（4）當SnSe2質量比為10%時，可以得到Sb：Sn摩爾比接近于1的薄膜，該方法適用于摻雜。
XRD結果
警示 | ? 爐管內氣壓不可高于0.02 MPa； ? 由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa，使用時會更加精確安全； ? 石英管的長時間使用溫度＜1100℃； ? 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態(tài)，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)； ? 射頻電源工作時，請勿觸碰。 |
應用技術提示 | ? 通入爐內氣體流量需小于200 sccm，以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊； ? 加熱時，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02 MPa，需立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂、法蘭飛出等）； ? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。 |
防腐型真空表 （可選） | ? 輸入電源24V，1A DC（配有電壓轉換器）； ? 測量范圍3.8′10-5-1125 Torr； ? 數據顯示：數顯（屏幕尺寸為20′14mm），其單位為torr ? 連接：1/8"NPT 接頭 ? 產品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)
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石英管 | ? 石英管尺寸：F80′1400mm
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壓力恒定控制系統 | 壓力恒定控制范圍（進氣氣氛為氬氣）： 760mtorr（100Pa）—225torr（30000Pa）（按照進氣量為500sccm） 600mtorr（80Pa）—200torr（26660Pa）（按照進氣量為300sccm） 300mtorr（40Pa）—185torr（24660Pa）（按照進氣量為100sccm） 180mtorr（24Pa）—100torr（13333Pa）（按照進氣量為50sccm） 壓力恒定控制精度：180mtorr—2.5torr（±5%） ＞2.5torr—10torr（±4%） ＞10 torr—200torr（±2%）
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溫儀表 （可選） | ? 單回路、雙回路和三回路控制模式； ? 每個回路可實現雙輸入，雙保護； ? 各回路可PID、串級、比率等回路控制； ? 數碼顯示，配備7個按鍵，可用于進行各控制回路的切換和參數修改； ? 最多可存儲50個程序，每個程序最多可有3個不同的設定值（即3條不同的曲線），最多可設置500段升降溫程序； ? 通訊方式多樣，Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口，可連接PC進行遠程控制。
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真空系統 （可選） | ? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進口高真空設備，以滿足在不同真空條件下的實驗需求。
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供氣系統 （可選） | ? 科晶公司提供各種通道浮子、質子流量計可供選擇，以實現氣體流量的精確控制。
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