- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
氧化鎂(MgO)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 氧化鎂（MgO）是極好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。科晶公司用一種特殊的電弧法生長出高純度的尺寸約2”x2”x 1”的低成本的MgO單晶，采用化學(xué)機械拋光制備出高質(zhì)量原子級表面的基片。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 立方 | 晶格常數(shù) | a=4.216? | 生長方法 | 電弧法 | 熔點 | 2850℃ | 密度 | 3.58g/cm3 | 莫氏硬度 | 5.5 Mohs | 熱膨脹系數(shù) | 12.8×10-6/℃ | 介電常數(shù) | 9.8 | 光學(xué)透過 | > 90% @ 200 ~ 400 nm > 98 % 500 ~ 1000 nm | 晶體解理面 | <100> |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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<100>, <110>, <111>公差：+/-0.5度 dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm 單拋或雙拋，（<111> Ra<15A，<100>和<110> Ra<5A） 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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