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銻化銦(InSb)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
單晶 | InSb | 摻雜 | None;Te;Ge | 導(dǎo)電類型 | N;N;P | 載流子濃度cm-3 | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯(cuò)密度cm-2 | <2x102 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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標(biāo)準(zhǔn)尺寸：2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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