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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方 a =5.4505 ? | 生長(zhǎng)方法: | 提拉法 | 密度: | 4.13 g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1480 ℃ | 熱膨脹系數(shù)： | 5.3 x10-6 | 摻雜物質(zhì)： | 摻S ；不摻雜 | 熱傳導(dǎo)率： | 2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3 | 電阻率W.cm： | ~0.03 ；~0.3 | EPD (cm-2 )： | < 3x10E5 ；< 3x10E5 |
|
| 常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向：<111>；常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋; 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 備注
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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