- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
硅(Si)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 化學符號為Si,主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
摻雜物質(zhì)： | 摻B | 摻P | 類型： | P | N | 電阻率Ω.cm： | 10-3 ~ 40 | 10-3 ~ 40 | EPD (cm-2 )： | ≤100 | ≤100 | 氧含量( /cm3 )： | ≤1.8 x1018 | ≤1.8 x1018 | 碳含量( /cm3 )： | ≤5x1016 | ≤5x1016 |
|
| 常規(guī)規(guī)格
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晶體方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向； 常規(guī)尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度：Ra<10A 可提供熱氧化SiO2層的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!歡迎您的咨詢！ |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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