- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | a0 = 0.430 nm ；c0 = 0.702 nm | 熔點(diǎn)(℃)： | 1350℃ | 密度(g/cm3)： | 5.655 g.cm-3 | 折射率： | 2.5 | 電阻率： | 低阻（R<1 ohm-cm); 高阻：（R>10^6 ohm-cm) |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
晶體方向: <0001>、<10-10>； 常規(guī)尺寸：10x10x1.0mm±0.1mm； 拋光情況：雙拋 60/40 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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