- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
非極性氮化鎵(GaN)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體定位面： | A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°. | 傳導(dǎo)類(lèi)型： | N型；半絕緣型 | 電阻率： | R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位錯(cuò)密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面積： | >90% | TTV: | ≤15um； |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm； 厚度公差：+/-0.05mm； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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