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二維材料MoSe2
- 產品概述：
- 應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
MoSe2 二硒化鉬 |
| 技術參數
|
類型： | CVT法人工合成 | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 銀灰色 | 電導： | 半導體 | 帶隙： | 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV | | 晶體結構： | 六方晶系 | | 晶體常數： | a=b=3.29, c=12.89 ,α=β=90° ,γ=120° | | 生長方法： | 化學氣相傳輸 | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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