- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發(fā)設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
Ce:Lu2SiO5晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設備中，比如機場，火車站，自定義端口以及石油勘探領域。
免責聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
Ce:Lu2SiO5晶體基片
|
| 技術參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=12.36b=6.644 c=10.25 β=102.40 | 純度： | >99.99％ | 密度： | 7.4g/cm3 | 硬度： | 5.8( mohs) | 熔點： | 2047℃ | 熱膨脹： | 19.5 10-6/K | 折射率： | 1.82 | 發(fā)射波長： | 418nm | 生長方法： | 布里奇曼 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | （001） 摻Ce摩爾比0.175% | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<15A |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
| 標準包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封
|
免責聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
