- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
LiNbO3晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 鈮酸鋰是非線性光學(xué)級晶體，廣泛應(yīng)用于參量振蕩器、倍頻、聲光器件、光學(xué)調(diào)制器。MgO的摻入可有效提高晶體的抗損傷閾值、科晶公司可以提供大量φ2"，φ3"及各種其它尺寸的光學(xué)級LiNbO3基片，質(zhì)量上乘，價格優(yōu)惠。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
鈮酸鋰(LiNbO3)晶體基片 |
| 常規(guī)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 三方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=b=5.148 ? c=13.863 ? | 密度： | 7.45 g/cm3 | 熔點： | 1250 °C | 居里溫度： | ~1140℃ | 硬度： | 5 Mohs | 熱膨脹系數(shù)： | a11=15.4×10-6/K a33=7.5×10-6/K | 光譜透過波長： | 0.4～2.90μm | 非線性系數(shù)： | d33=34.45,d31=d15=5.95,d22=13.07(pmV-1) | 折射率： | n0=2.286 ne=2.203 @632.8nm | 電光系數(shù)： | γ13=9,γ22=3.4,γ33=31, | 光譜透過范圍透過率： | 370～5000nm
>68% @632.8nm | 塞米爾方程（λ：um) | n02(λ)=4.9048+0.11768/(λ2-0.04750)-0.027169λ2
ne2(λ)=4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2 | 顏色： | 無色 | 生長方法： | 提拉法 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | （0001）、（1120）、（1010） | 晶向公差： | <0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10×10,Φ2″,Φ3″ | 拋光情況： | 雙面拋光 | 表面粗糙度： | <5? | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
