工藝指導(dǎo) —— LaAIO3單晶基片制備流程_實(shí)驗(yàn)知識(shí)分享與工藝指導(dǎo)_資料支持_應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室_

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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
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熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專(zhuān)用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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工藝指導(dǎo) —— LaAIO3單晶基片制備流程

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工藝指導(dǎo) —— 鎂合金淬火

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