問題來源：通過總結(jié)官網(wǎng)、微信后臺留言及展會交流中的客戶反饋，發(fā)現(xiàn)在大尺寸基片上鍍膜及所鍍膜層厚度的均勻性是研究者所關注的熱點。

   基片膜厚均勻性是衡量薄膜質(zhì)量和鍍膜設備的一項重要因素。基于膜厚均勻性的重要意義，科晶應用技術(shù)實驗室利用磁控濺射的方法從“如何利用小平面靶材在大尺寸基片上獲得良好均勻性的薄膜”開展了系列實驗。

實驗結(jié)果如下：

圖組一

   為更直觀的檢測四英寸基片膜厚均勻性，選取基片直徑處的樣品進行斷面形貌表征析，如下圖。實驗發(fā)現(xiàn)：薄膜厚度約為3.3μm，且不同位置的膜厚誤差約為0.2μm，表明基片上膜厚較為均勻。利用小平面靶材，結(jié)合科晶VTC-3RF磁控濺射設備成功在大尺寸基片上獲得均勻性較好的薄膜。

圖組二

樣品選取

特別提示：

以上具體實驗參數(shù)如果您感興趣，請與合肥科晶應用技術(shù)實驗室聯(lián)系索要具體數(shù)據(jù)。

特別聲明：

1. 以上所有實驗僅供參考。

2.歡迎您提出其他實驗思路，我們來驗證。

3.以下實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設備，不一定具有普遍性。

4.歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設備的應用技術(shù)。